北京華測高溫四探針設(shè)備
一、北京華測高溫四探針設(shè)備簡介：
●北京華測高溫四探針測量系統(tǒng)，該系統(tǒng)可以測量硅、鍺單晶（棒料、晶片）電阻率、測定硅外延層、擴散層和離子注入層的方塊電阻 以及測量導(dǎo)電玻璃（ITO）和其它導(dǎo)電薄膜的方塊電阻。
●采用由四端測量方法測試電阻率系統(tǒng)與高溫試驗箱為一體的專用的高溫測試系統(tǒng)，滿足半導(dǎo)體及導(dǎo)體材料因溫度變化對電阻值變化的 測量要求，通以在高溫 、真空、氣氛的條件下測量導(dǎo)電材料電阻和電阻率，可以分析被測樣的電阻和電阻率隨溫度、 時間變化的曲線． 目前主要針對圓片、方塊、長條等樣品進行測試，可以廣泛用于碳系導(dǎo)電材料、 金屬系導(dǎo)電材料、 金屬氧化物系導(dǎo)電材料、結(jié) 構(gòu)型高分子導(dǎo)電材料、復(fù)合導(dǎo)電材料等材料的電阻率測量。測控軟件可以顯示出溫度與電阻，電阻率，電導(dǎo)率數(shù)據(jù)的變化曲線。

二、北京華測高溫四探針設(shè)備適用范圍：
1、可以測量高溫、真空、氣氛下薄膜方塊電阻和薄層電阻率；
2、軟件、觸摸屏、高溫爐等集成于一體，可以進行可視化操作；
3、可實現(xiàn)純凈氣氛條件下的測量；同時保證探針在高溫下不氧化；
4、采用labview軟件開發(fā)，操控性、兼容性好、方便升級；
5、可自動調(diào)節(jié)樣品測試電壓，探針和薄膜接觸閃絡(luò)現(xiàn)象；
6、控溫和測溫采用同一個傳感器，保證樣品每次采集的溫度都是樣品實際溫度；
7、可配套使用Keithley2400或2600數(shù)字多用表。

三、北京華測高溫四探針設(shè)備特點：
● TVS瞬間抑制防護技術(shù)： 光耦與隔離無非是提高儀器的采集的抗干擾處理,對于閃絡(luò)放電過程中的浪涌對控制系統(tǒng)的防護起不到作用。華測的TVS瞬間抑制防護技術(shù)，將起到對控制系統(tǒng)的防護。
● 多級循環(huán)溫度采集技術(shù)： 設(shè)備采用PID算法，以及多級循環(huán)溫度采集以保證溫度的有效值?？販睾蜏y溫采用同一個傳感器，保證樣品每次采集的溫度都 是樣品實際溫度.
● 雙系統(tǒng)互鎖技術(shù)及隔離屏蔽技術(shù)： 本設(shè)備不僅具備過壓、過流保護系統(tǒng)，它的雙系統(tǒng)互鎖機制，當元器件出現(xiàn)問題或單系統(tǒng)出現(xiàn)故障時，將瞬間切斷 電源。采用低通濾波電流檢測技術(shù)以保證采集電流的有效值 ，以及電流抗干擾的屏蔽。
● SPWM電子升壓技術(shù) 采用SPWM電子升壓技術(shù)，這一技術(shù)具有升壓速度平穩(wěn)，精度高。便于維護等優(yōu)點。

四、北京華測高溫四探針設(shè)備技術(shù)參數(shù)：
●測量溫度：室溫---600°C ;
●控溫精度：±1℃ ，
●顯示精度：±0.1℃；
●升溫斜率：1-5°C/min；
●測量精度：0.05%；
●電阻率：10^-5 ～10⁵ Ω.cm ;
●電導(dǎo)率：10^-5 ～10⁵ s/cm
●方塊電阻：10^-4 ～10⁶ Ω/□；
●電阻：10^-5 ～10⁵ Ω；
●探針間距：2±0.01mm；
●探針壓力：0~2kg可調(diào)；
●針間絕緣電阻：≥1000MΩ；
●真空腔體漏率標準要小于10^-9 Pa m³/s ;
●樣品：直徑15~30mm，厚度小于4mm；
●設(shè)備尺寸：680mmX450mmX400mm