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產(chǎn)品詳情

華測Huace-DCS10KV儲能電介質(zhì)充放電系統(tǒng)研發(fā)上市

日期:2024-09-19 04:12
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摘要: 華測Huace-DCS10KV儲能電介質(zhì)充放電系統(tǒng)研發(fā)上市 產(chǎn)品概述 Huace-DCS10KV電介質(zhì)充放電測試系統(tǒng)主要用于研究介電儲能材料高電壓放電性能。目常規(guī)的方法是通過電滯回線計算高壓下電介質(zhì)的能量密度,測試時,樣品的電荷是放回到高壓源上,而不是釋放到負(fù)載上,通過電滯回線測得的儲能密度一般會大于樣品實際釋放的能量密度,無法正確評估電介質(zhì)材料的正常放電性能。華測Huace-DCS10KV儲能電介質(zhì)充放電系統(tǒng)采用門設(shè)計的電容放電電路來測量,測試電路如下圖所示。在該電路中,先將介電膜充電到給定電壓,之后通過閉合高速...

華測Huace-DCS10KV儲能電介質(zhì)充放電系統(tǒng)研發(fā)上市


產(chǎn)品概述

  Huace-DCS10KV電介質(zhì)充放電測試系統(tǒng)主要用于研究介電儲能材料高電壓放電性能。目常規(guī)的方法是通過電滯回線計算高壓下電介質(zhì)的能量密度,測試時,樣品的電荷是放回到高壓源上,而不是釋放到負(fù)載上,通過電滯回線測得的儲能密度一般會大于樣品實際釋放的能量密度,無法正確評估電介質(zhì)材料的正常放電性能。華測Huace-DCS10KV儲能電介質(zhì)充放電系統(tǒng)采用門設(shè)計的電容放電電路來測量,測試電路如下圖所示。在該電路中,先將介電膜充電到給定電壓,之后通過閉合高速MOS高壓開關(guān),存儲在電容器膜中的能量被放電到電阻器負(fù)載的原理設(shè)計開發(fā),更符合電介質(zhì)充放電原理。


 在實際應(yīng)用中,當(dāng)電介質(zhì)或電容器充電后,存儲的能量被放電到外部負(fù)載,放電過程由負(fù)載、電工互連和電容器組成的整個電路決定,有時甚至電纜的長度變化也會強(qiáng)烈的影響放電過程、電壓和電流波形。因此P-E回滯測量的放電條件與實際實用中的放電條件明顯不同,并且在實際應(yīng)用中從P-E回滯環(huán)獲得的能量密度可能偏離(通常高于)真實的放電能量密度。

   為了評估介電材料在類似于現(xiàn)實應(yīng)用的放電條件下的性能,另一種測試方式用于測量介電材料的儲能特性。在測量過程中,先將介電材料充電到給定的電壓,然后,將電容器中的存儲的能量放電到外部負(fù)載,如下圖(1),經(jīng)測試的介電材料可以建模為理想的無損耗電容,與電阻{等效串聯(lián)電阻(ESR}串聯(lián),代表介質(zhì)材料的損耗。很容易看出,當(dāng)外部負(fù)載電阻RLESR時,大部分儲存的能量將通過ESR(電介質(zhì)材料tanδ 、電和連接電纜的電阻等)消散,并且來自RL測量的能量密度將遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于存儲的能量密度(快速放電)。因此,如果RLESR,介質(zhì)電容器的放電效率將取決于負(fù)載條件,并且可以非常高。RL的選 取影響著測試的放電速度。較大的RL意味著較大的RLC常數(shù)(C是材料的電容)較慢的放電速度。在測試中,盡管可以固定RL,但是介電材料的電容是可能不是恒定的,因為材料介電性能具有場致依賴性。無論怎樣,總是可以使用負(fù)載電阻和弱場電容來估算放電速度,并選擇負(fù)載電阻進(jìn)行測試。

產(chǎn)品特點(diǎn):

1、 本系統(tǒng)采用特殊高壓開關(guān),通過單刀雙擲控制充電和放電過程,開關(guān)可以承受10kV高壓,寄生電容小,動作時間短;

2、 電壓10kV,電流5mA;

3、 可外接高壓放大器或高壓直流電源;

4、 通過電流探頭檢測放電電流,可達(dá)100A;

5、 可以實現(xiàn)欠阻尼和過阻尼兩種測試模式,欠阻尼測試時,放電回路短路,不使用電阻負(fù)載,過阻尼測試時,使用較大的高精度無感電阻作為放電負(fù)載;

6、 可以作為一個信號源,產(chǎn)生任意波形;

7、 通過示波器采集數(shù)據(jù),并能直接計算儲能密度;

8、 定制載樣平臺,可適用于陶瓷和薄膜樣品測試;

9、 可以進(jìn)行變溫測試,RT~200℃;

10、 可以進(jìn)行疲勞測試;

11、 還可用于化材料之用。

 

 

 

 

 

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