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音頻介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀

日期:2024-09-20 13:51
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摘要: 音頻介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀 音頻介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀技術(shù)參數(shù): 1、測(cè)量范圍及誤差 在Cn=100pF R4=3183.2(Ω)(即10K/π)時(shí) 測(cè)量項(xiàng)目 測(cè)量范圍 測(cè)量誤差 電容量Cx 40pF--20000pF ±0.5% Cx±2pF 介質(zhì)損耗tgδ 0~1 ±1.5%tgδx±1×10-4 在Cn=100pF R4=318.3(Ω)(即1K/π)時(shí) 測(cè)量項(xiàng)目 測(cè)量范圍 測(cè)量誤差 電容量Cx 4pF--2000pF ±0.5% Cx±2pF 介質(zhì)損耗tgδ 0~0.1 ±1.5%tgδx±1×10-4 Cx=R4×Cn/R3 ...

                                           音頻介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀

音頻介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀技術(shù)參數(shù):

1、測(cè)量范圍及誤差 
               在Cn=100pF    R4=3183.2(Ω)(即10K/π)時(shí)
測(cè)量項(xiàng)目 測(cè)量范圍 測(cè)量誤差
電容量Cx 40pF--20000pF ±0.5% Cx±2pF
介質(zhì)損耗tgδ 0~1 ±1.5%tgδx±1×10-4
             在Cn=100pF    R4=318.3(Ω)(即1K/π)時(shí)
測(cè)量項(xiàng)目 測(cè)量范圍 測(cè)量誤差
電容量Cx 4pF--2000pF ±0.5% Cx±2pF
介質(zhì)損耗tgδ 0~0.1 ±1.5%tgδx±1×10-4
 Cx=R4×Cn/R3
tgδ=R4C4
高壓電源技術(shù)特性
電壓輸出:0~2500V/50Hz
高壓電流輸出:0~20mA
內(nèi)置標(biāo)準(zhǔn)電容器
電容量的名義值為100pF
tgδ小于5×10-5
固體絕緣材料測(cè)試電極

音頻介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀

1、測(cè)量范圍及誤差 
               在Cn=100pF    R4=3183.2(Ω)(即10K/π)時(shí)
測(cè)量項(xiàng)目 測(cè)量范圍 測(cè)量誤差
電容量Cx 40pF--20000pF ±0.5% Cx±2pF
介質(zhì)損耗tgδ 0~1 ±1.5%tgδx±1×10-4
             在Cn=100pF    R4=318.3(Ω)(即1K/π)時(shí)
測(cè)量項(xiàng)目 測(cè)量范圍 測(cè)量誤差
電容量Cx 4pF--2000pF ±0.5% Cx±2pF
介質(zhì)損耗tgδ 0~0.1 ±1.5%tgδx±1×10-4
 Cx=R4×Cn/R3
tgδ=R4C4
高壓電源技術(shù)特性
電壓輸出:0~2500V/50Hz
高壓電流輸出:0~20mA
內(nèi)置標(biāo)準(zhǔn)電容器
電容量的名義值為100pF
tgδ小于5×10-5
固體絕緣材料測(cè)試電極

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